场效应晶体管（MOSFET）是一种具有电压控制特性的半导体器件，是集成电路技术中最为常用的器件之一。它由金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）两种类型。
这两种器件的工作原理是将金属、氧化物和半导体组合在一起，通过在半导体和金属之间放置一个绝缘膜来控制电流。当施加于门极的电压发生变化时，传导性和绝缘性之间的平衡会发生变化，从而控制器件中的电流通过。
由于场效应晶体管具有体积小、灵敏度高、耗能低、可靠性高等优点，因而被广泛应用于数字、模拟电路及各种电力电子控制器件、通信电子器件和高速集成电路等领域。
不过，值得注意的是，由于成本高和制作难度大，制造业中应用该技术的厂商不多，这导致市场上半导体厂家制造的MOS场效应晶体管电阻比较大，因此被限制在用于低压和低功率电路上。在未来，功率场效应晶体管的制造成本有望降低，使得其在高压和高功率电路中的应用得到发展和提升。
