在电子学领域，场效应管(FET)是一种基本的电子器件，而P沟道场效应管是其中的重要一种。P沟道场效应管(也称P沟道MOSFET)是一种使用P型半导体材料制作的MOSFET。由于其操作方式简单，速度快，因此在高速CMOS电路中得到了广泛的应用。
P沟道场效应管在电路设计中的主要作用是放大和调制电压信号。和其他场效应管不一样的是，P沟道场效应管的控制极（Gate）对电流是具有反应速度的，并且不需要怎么驱动，只需要一个信号就能控制。因此，在高速级联电路的设计中常常使用P沟道场效应管来代替其他类型的场效应管。
除了上述应用，P沟道场效应管还可以用于模拟电路中。在模拟电路中，P沟道场效应管可以用于放大信号并提高带宽。此外，还可以将多个P沟道场效应管连接在一起来构成CPGD(共集极差分放大器)电路。CPGD电路在放大差分信号时，具有清晰度高、线性度高等优点，因此也受到了广泛的关注。
